型号: | EPC2014C |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | EPC |
描述: | GANFET N-CH 40V |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | 1 |
数量
价格
总价
1
$1.6000
$1.6000
10
$1.3100
$13.1000
100
$1.0200
$102.0000
500
$0.8600
$430.0000
1000
$0.7000
$700.0000
2500
$0.6600
$1,650.0000
5000
$0.6300
$3,150.0000
12500
$0.6000
$7,500.0000
类型 | 描述 |
制造商 | EPC |
系列 | eGaN® |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | Die |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 16mOhm @ 10A, 5V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 2mA |
供应商设备包 | Die |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 5V |
Vgs(最大) | +6V, -4V |
漏源电压 (Vdss) | 40 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 300 pF @ 20 V |