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产品详情
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型号 EPC2015
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 EPC
描述 GANFET N-CH 40V
封装 -
包装 卷带式 (TR)
RoHS 状态 1
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2351752
型号
2351752
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
EPC
描述
GANFET N-CH 40V
封装
-
包装
卷带式 (TR)
lang_roHSStatusStatus
1
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包装卷带式 (TR)
产品状态DISCONTINUED
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C33A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 9mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -5V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11.6 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1200 pF @ 20 V
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