型号: | SIJH5700E-T1-GE3 |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | Vishay / Siliconix |
描述: | N-CHANNEL 150 V |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | 1 |
数量
价格
总价
1
$6.2900
$6.2900
10
$5.2800
$52.8000
100
$4.2700
$427.0000
500
$3.8000
$1,900.0000
1000
$3.2500
$3,250.0000
2000
$3.0600
$6,120.0000
类型 | 描述 |
制造商 | Vishay / Siliconix |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | PowerPAK® 8 x 8 |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 174A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 4.1mOhm @ 20A, 10V |
功耗(最大) | 3.3W (Ta), 333W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4V @ 250µA |
供应商设备包 | PowerPAK® 8 x 8 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 7.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 150 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 140 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 7500 pF @ 75 V |