语言:zh-cn
  • zh-cn
  • en

锋芯电子

产品详情
  • image of 单 FET、MOSFET>SIJH5700E-T1-GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SIJH5700E-T1-GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SIJH5700E-T1-GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SIJH5700E-T1-GE3
型号 SIJH5700E-T1-GE3
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Vishay / Siliconix
描述 N-CHANNEL 150 V
封装 -
包装 卷带式 (TR)
RoHS 状态 1
价格: $3.0600
总数

数量

价格

总价

1

$6.2900

$6.2900

10

$5.2800

$52.8000

100

$4.2700

$427.0000

500

$3.8000

$1,900.0000

1000

$3.2500

$3,250.0000

2000

$3.0600

$6,120.0000

获取报价信息
image of 单 FET、MOSFET>16639863
image of 单 FET、MOSFET>16639863
16639863
型号
16639863
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
描述
N-CHANNEL 150 V
封装
-
包装
卷带式 (TR)
lang_roHSStatusStatus
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® 8 x 8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs4.1mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 8 x 8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)7.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)150 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs140 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds7500 pF @ 75 V
captcha

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
852-9298 7121

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
点击这里给我发消息
0