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锋芯电子
| 型号： | SIR184LDP-T1-RE3 |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | Vishay / Siliconix |
| 描述： | N-CHANNEL 60 V |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| RoHS 状态： | 1 |
数量
价格
总价
1
$1.4700
$1.4700
10
$1.2100
$12.1000
100
$0.9400
$94.0000
500
$0.8000
$400.0000
1000
$0.6500
$650.0000
3000
$0.6100
$1,830.0000
6000
$0.5800
$3,480.0000
9000
$0.5500
$4,950.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | PowerPAK® SO-8 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 21.5A (Ta), 73A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 5.4mOhm @ 10A, 10V |
| 功耗（最大） | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerPAK® SO-8 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 41 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1950 pF @ 30 V |
