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产品详情
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型号 TP44400SG
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Tagore Technology
描述 GAN FET HEMT 65
封装 -
包装 卷带式 (TR)
RoHS 状态
价格: $2.1300
总数

数量

价格

总价

1

$2.1300

$2.1300

10

$1.8400

$18.4000

100

$1.5900

$159.0000

500

$1.2800

$640.0000

3000

$1.2800

$3,840.0000

获取报价信息
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19116233
型号
19116233
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Tagore Technology
描述
GAN FET HEMT 65
封装
-
包装
卷带式 (TR)
lang_roHSStatusStatus
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Tagore Technology
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱22-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs360mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 2.8mA
供应商设备包22-QFN (5x7)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)0V, 6V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs0.75 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds28 pF @ 400 V
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