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产品详情
  • image of 单 FET、MOSFET>UF3C120080K4S
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型号 UF3C120080K4S
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 UnitedSiC (Qorvo)
描述 SICFET N-CH 120
封装 -
包装 管子
RoHS 状态 1
价格: $11.8500
总数

数量

价格

总价

1

$14.6300

$14.6300

30

$11.8500

$355.5000

120

$11.1500

$1,338.0000

510

$10.1100

$5,156.1000

1020

$9.2700

$9,455.4000

获取报价信息
image of 单 FET、MOSFET>12083415
12083415
型号
12083415
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
UnitedSiC (Qorvo)
描述
SICFET N-CH 120
封装
-
包装
管子
lang_roHSStatusStatus
1
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商UnitedSiC (Qorvo)
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiCFET (Cascode SiCJFET)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C33A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs100mOhm @ 20A, 12V
功耗(最大)254.2W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id6V @ 10mA
供应商设备包TO-247-4
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)12V
Vgs(最大)±25V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs43 nC @ 12 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1500 pF @ 100 V
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