型号: | XP3N1R0MT |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | YAGEO XSEMI |
描述: | FET N-CH 30V 54 |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | 1 |
数量
价格
总价
1
$4.0400
$4.0400
10
$3.3900
$33.9000
100
$2.7400
$274.0000
500
$2.4400
$1,220.0000
1000
$2.0900
$2,090.0000
3000
$1.9600
$5,880.0000
类型 | 描述 |
制造商 | YAGEO XSEMI |
系列 | XP3N1R0 |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerLDFN |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 54.2A (Ta), 245A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 1.05mOhm @ 20A, 10V |
功耗(最大) | 5W (Ta), 104W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.2V @ 250µA |
供应商设备包 | PMPAK® 5 x 6 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 30 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 120 nC @ 4.5 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 12320 pF @ 15 V |